Fast die doppelte Speicherdichte wie Samsung, aber viel größer: Micron hat einen Vortrag über einen 3D-NAND-Flash-Chip gehalten, der 768 GBit fasst. Er basiert auf für planaren Speicher typischer Technik.

Der Speicherhersteller Micron hat auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) über einen NAND-Flash gesprochen, der eine Kapazität von 768 GBit oder umgerechnet 96 GByte aufweist. Der Chip besteht aus übereinander gestapelten Zellen, die jeweils drei Bits speichern (Triple-Level-Cell, kurz TLC) und auf der Floating-Gate- statt der üblicheren Charge-Trapping-Technik basieren.

Derzeit fertigt Micron planaren Flash-Speicher mit MLCs und 256 GBit in Serie, zudem ist 3D-Speicher mit TLCs und 384 GBit in Arbeit. Auch Sandisk und Toshiba sowie Samsung produzieren 3D-Flash mit TLCs und 256 GBit. Der neue 768-GBit-Flash erhöht der EE Times zufolge die Speicherdichte auf 4,29 GBit/mm² - Samsungs am engsten gepackter Flash kommt auf 2,6 GBit/mm². Zum Vergleich: Der planare 128-GBit-MLC-Flash in günstigen SSDs wie der BX100 von Microns Endkundenmarke Crucial liegt bei 0,87 GBit/mm².

Der Nachteil des neuen Micron-Chips verglichen mit einem Samsung-Die ist die Größe von 179,2 mm² statt 97,6 mm². Bei gleicher oder ähnlicher Fertigung passen viel weniger Chips auf einen Wafer und die Ausbeute (yield) ist geringer. Allerdings werden auch weniger Dies für die gleiche Kapazität benötigt. Ein interessanter Aspekt ist zudem die Technik: Micron nutzt Floating-Gate-Transistoren, die bei planarem Flash üblich sind, statt das ansonsten bei 3D-Speicher verwendete Charge-Trapping. Letztere ist aufwendiger, ermöglicht aber eine höhere Speicherdichte pro mm².

Bisher hat sich Micron nicht entschieden, ob der vorgestellte 768-GBit-TLC-Flash in Produktion gehen soll, da derzeit mit 96-MByte-Blöcken gearbeitet wird. Ungeachtet davon sieht der Hersteller entsprechend große Speicherbausteine für 2017 vor und möchte das Jahr darauf 1-TBit-Flash-Dies fertigen.